主催: | 精密工学研究所 |
共催: | 科研費学術創成「超高速光ネットワーク用光IC」拠点 21世紀COE「フォトニクスナノデバイス集積工学」拠点 |
平成18年3月2日 (木) 10:00-18:00
東京工業大学 すずかけ台キャンパス 大学会館多目的ホール
(田園都市線すずかけ台駅徒歩8分)
平成18年3月2日(木)に第47回精研シンポジウム「フォトニックネットワークデバイスの新展開(5)」を開催致します。 これまでの開催に引き続き、益々進展の期待される大容量光通信ネットワークのための 新しいデバイス・システム技術の討論の場を提供することを目的として企画し、 下記のプログラムに示すように当該分野でご活躍の方々にご講演をお願い致しました。 ぜひご参加下さい。なお参加費は無料ですが、準備の都合上、 事前に電子メールにて(h.yoshida-@ms.pi.titech.ac.jp)(@の前のハイフンは削除してください.)まで 参加申し込みをお願い致します。ただし、当日の登録も受け付けます。
問合せ先:精研マイクロシステム研究センター 小山二三夫 (koyama-@pi.titech.ac.jp)(@の前のハイフンは削除してください.)
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10:00-10:10 | 開会の挨拶 | 精密工学研究所長 上羽 貞行 |
  | セッションA 10:10-11:40 | 座長 小林 功郎(東京工業大学) |
10:10-10:40 | 小山 二三夫(東京工業大学) | 面発光レーザ構造を用いた光信号処理の新展開 |
10:40-11:10 | 篠田 和典,北谷 健,青木 雅博,向久保 優*, 内田 憲治*,魚見 和久*(日立製作所,*オプネクスト) | 1.3µm帯短共振器DBRレーザの低電流10Gbit/s動作 |
11:10-11:40 | 伊藤 日出男,茨木 修,岡田 義邦,三川 孝,鈴木 修司, 増田 宏,田村 充章,木下雅夫,青柳昌宏(産総研) | 高密度光バックプレーン |
  | 昼食 11:40-12:40 |   |
12:40-13:40 | ポスターセッション | (33件.下記参照) |
  | セッションB 13:40-15:40 | 座長 井筒 雅之(NICT) |
13:40-14:10 | 市村 厚一(東芝) | EITによる物質の量子状態制御およびその光速制御,量子情報処理への応用 |
14:10-14:40 | 納富 雅也,谷山 秀昭.森田 雅和*,三木 聡*, 田辺 孝純,新家 昭彦,倉持 栄一(NTT,*東京工業大学) | フォトニック結晶の動的制御と波長変換 |
14:40-15:10 | 中尾 正史(NTT) | ナノインプリント技術の光部品への応用 |
15:10-15:40 | 國分 泰雄,加藤 智行,五江渕 裕太(横浜国大) | マイクロリング光回路と波長選択スイッチ |
  | 休憩 15:40-16:00 |   |
  | セッションC 16:00-18:00 | 座長 荒井 滋久(東京工業大学) |
16:00-16:30 | L.R. Nunes, T.K. Liang, K.S. Abedin, T. Miyazaki and M. Tsuchiya (NICT) | All-Optical Switching in Silicon Wire Photonic Circuits(仮題) |
16:30-17:00 | 三浦 明,和田 守夫,八木原 剛,池澤 克哉,藤田 忠重(横河電機) | 光パケットネットワークシステム要素技術開発 |
17:00-17:30 | 中村 滋(NEC) | 対称マッハツェンダー型全光スイッチのシステム応用検討 |
17:30-18:00 | 植之原 裕行(東京工業大学) | 光ラベルスイッチ用光DA変換型ラベル識別器の動作特性向上と 半導体デバイス化に関する研究 |
  | 懇親会 18:00- |   |
※当初のプログラムに講演題目の誤りがありました.講演者および本プログラムご覧の方には,大変御迷惑をおかけしたことをお詫び申し上げます.
P-1 | 松浦哲也, 宮本智之, 小山二三夫 (東工大・精研) | GaInAsSbカバー層を装荷したInAs量子ドットの偏光特性 |
P-2 | 柏原吉浩, 宮本智之, 松浦哲也, 太田征考, 岩崎鷹博, 小山二三夫 (東工大・精研) | 1.5µm帯GaInNAsSb半導体レーザの形成に関する研究 |
P-3 | 太田征孝, 宮本智之, 松浦哲也, 岩崎鷹博, 柏原吉浩, 小山二三夫 (東工大・精研) | 固体原料分子ビーム成長法による1200nm帯高歪GaInAs/GaAs量子井戸レーザ |
P-4 | 鈴木亮一郎, 宮本智之, 松浦哲也, 小山二三夫 (東工大・精研) | MOCVD法によるGaInNAs系自己形成量子ドットとその長波長帯レーザへの応用に関する研究 |
P-5 | 岩崎鷹博, 宮本智之, 太田征孝, 松浦哲也, 柏原吉浩, 小山二三夫 (東工大・精研) | GaAs系トンネル注入レーザの構造依存性の検討 |
P-6 | 石田周太郎, 宮本智之 (東工大・精研) | 膜厚変調DBRを用いたVCSEL構造素子の温度特性 |
P-7 | 武田一隆, 宮本智之, 内山泰宏, 北林直人, 松谷晃宏, 小山二三夫 (東工大・精研) | 面発光レーザ発振特性の波長オフセット量依存性 |
P-8 | 金澤慈, 小山二三夫 (東工大・精研) | 1.2µm帯高歪GaInAs/GaAsレーザの高温動作特性 |
P-9 | 北林直人, 小山二三夫 (東工大・精研) | ドライエッチングを用いたパターン基板上多波長面発光レーザアレイの形成法の検討 |
P-10 | 内田武志, 宮本智之, 坂口孝浩, 小山二三夫 (東工大・精研) | 温度分布制御機構装荷面発光レーザの高性能化の検討 |
P-11 | P. Babu Dayaland, F. Koyama (東工大・精研) | Polarization control of VCSELs using metal-nanostructure gratings |
P-12 | 橋爪滋郎, 小山二三夫 (東工大・精研) | 金属ナノ開口アレイ面発光レーザの偏光モード制御と近接場光生成 |
P-13 | 長谷部浩一, 小山二三夫, *西山伸彦, *香野花沙鈴, *石鍾恩 (東工大・精研, *Corning Incorporated) | 1.5µm帯楕円形状面発光レーザを用いた偏光制御デバイス |
P-14 | 須田悟史, 平野豪, 小山二三夫, *西山信彦, *香野花沙鈴, *石鍾恩 (東工大・精研, *Corning Incorporated) | 可飽和吸収体を有する垂直微小共振器を用いた非線形位相補償デバイス |
P-15 | 平野豪, 須田悟史, 小山二三夫 (東工大・精研) | 高Q値共振器を用いた面型光変調器 |
P-16 | 城岸直輝, 小林功郎 (東工大・精研) | 光配線用面発光レーザの高速直接変調に関する研究 |
P-17 | 田中紳公, 坂巻常治, 小林功郎 (東工大・精研) | 光インターコネクション用面型変調器の高速低電圧動作 |
P-18 | 望月礼, 小林功郎 (東工大・精研) | LSIチップ間の超並列光接続 |
P-19 | Wiganes Janto, 小山二三夫 (東工大・精研) | マイクロマシン構造を用いるダブルキャビティ波長可変光フィルタ |
P-20 | 横田康, 小山二三夫 (東工大・精研) | 可変機構を有する中空光導波路の研究 |
P-21 | 桜井康樹, 松谷晃宏, 坂口孝浩, 小山二三夫 (東工大・精研) | アクチュエータ集積型可変中空導波路の可変特性と温度無依存化 |
P-22 | 田原敬司郎, 小山二三夫 (東工大・精研) | 光回路製作のためのナノインプリントプロセスに関する研究 |
P-23 | 山川英明, 芹沢友之, 桜井康樹, 小山二三夫 (東工大・精研) | 中空導波路を集積した波長可変レーザ |
P-24 | 芹澤友之, 山川英明, 桜井康樹, 坂口孝浩, 小山二三夫 (東工大・精研) | 中空光導波路を用いた波長可変レーザに関する研究 |
P-25 | C.-H. Bae, 小山二三夫 (東工大・精研) | 可変中空導波路を用いた方向性結合器型光スイッチの製作と評価 |
P-26 | 金蓮花, 中峠愛, 米倉和哉, 滝沢國治 (成蹊大) | 電気光学結晶を用いたファプリ・ペロー共振器 |
P-27 | 来見田淳也, 植之原裕行, 小林功郎 (東工大・精研) | SOA-MZIによる全光S/P変換とラベル認識 |
P-28 | 多々良裕基, 来見田淳也, 小林功郎 (東工大・精研) | SOA-MZI型全光スイッチの波長依存性の検討 |
P-29 | 澤田憲吾, 植之原裕行 (東工大・精研) | 半導体光DA変換の特性向上に関する研究 |
P-30 | 佐藤佑介, 植之原裕行 (東工大・精研) | 波長変換を用いた光ファイバループ型バッファ回路に関する研究 |
P-31 | 岡本健資, 植之原裕行 (東工大・精研) | 光ラベル生成器用多波長光源に関する研究 |
P-32 | 高梨雄介, 来見田淳也, 植之原裕行, 小林功郎 (東工大・精研) | 半導体光増幅器の相互位相変調特性を用いたタイミング制御型光信号再生器に関する研究 |
P-33 | 清水智, 植之原裕行 (東工大・精研) | 光DA変換型ラベル識別器の特性改善に関する研究 |