化学ビーム成長(CBE)法による初のGaInNAsレーザを実現(1999.7)
SSDM'99で発表(1999.9.22)
関連記事(日刊工業新聞1999.11.8)(90kB)
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Dr. Chen Zhibiao(研究員)，APCC/OECC'99にてExcellent Paper Award受賞(1999.10)
「高歪1.2µm InGaAs/GaAs量子井戸レーザの高温動作特性」(和訳)により．
賞状(80kB)
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1999.10.30-31 すずかけ祭 本研究室も公開しました．
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| 1999.10.15
精密工学研究所公開
本研究室も公開しました．
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関口(D2)，'99先端技術学生論文フジテレビジョン賞受賞(1999.6.30)
「トンネル接合破壊による電流狭窄法の発見」により．
写真(132kB)
記事(45kB)
記事(33kB)
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1999.3.3 半導体レーザシンポジウムを開催
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1999.3 InGaAs/GaAs MOCVD装置導入
傾斜基板上高性能VCSELを目指して．
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コンピュータメンテナンスのため1999.12.28からしばらく(1-2週間)，本ページの参照はできなくなります．ご容赦ください．
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Sorry, this page will stop for a few week from Dec. 28, 1999.
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